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SUD50P08-26
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
60
50
40
V GS = 10 thru 6 V
5V
20
16
12
30
8
20
T A = 125 °C
10
4
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0.024
0.023
0.022
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 10 V
8000
7000
6000
5000
4000
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.021
0.020
2000
1000
0
C oss
C rss
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
8
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 12.9 A
2.0
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 12.9 A
V GS = 10 V
6
V DS = 40 V
1.4
4
2
0
V DS = 64 V
1.1
0.8
0.5
V GS = 6 V
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73442
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Q g - Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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